多重寻址是一种寻址方案，其中一次（或几行）图像的顺序被顺序寻址，直到整个屏幕被绘制为止。然后重复寻址。图片元素（像素，图标，段）排列成矩阵。矩阵布置是物理的或电的。在物理布置中，像素在图形阵列内按行和列排列。在电气装置中，COM（公共）电极等效于行，而SEG电极等效于列。行和列的交叉形成了以液晶为电介质的电容器。

6行矩阵的多路寻址中的行和列信号。每个像素上的结果场等于行电压和列电压的瞬时差。但是，LC响应所施加信号的RMS值，该值对于指示的亮像素和暗像素是不同的。

多重寻址适用于液晶显示器，因为向列液晶响应施加信号的RMS值而不响应即时施加的场。导通和截止像素的所得RMS电压之比（Von / Voff）是多路寻址中要寻址的行数（N）的函数。该函数以其第一作者的名字命名为Alt-Pleshko极限：

要处理的行越多，通断电压之比越小。更高的行数还要求液晶显示器在传输电压特性内具有更陡峭的过渡。STN显示屏的过渡要比TN显示屏陡峭，因此STN显示屏的行数可以比TN显示屏更多。

列信号和行信号的幅度之比称为“偏差比率B”。行数的平方根（N）是理想的偏差比率，因为它会导致最大的Von：Voff比率。N通常表示为复用比1 / N。倍数和偏置比是必须指定并编程到LCD驱动器/控制器中的参数。